【新版】

绝缘层金属电容器,金属电容器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、金属－绝缘层－金属电容器及其制造方法

[简介]：本套资料的一个实施例主要内容为一种金属－绝缘层－金属电容器及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，其表面形成有第一绝缘层；于第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构，其由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成；形成开口于堆叠绝...

2、金属－绝缘层－金属电容器及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种在电解质中应用金属材料大大改善电导率的金属电容器及其制造方法。本套资料的金属电容器包括：端子增加型金属部件，其具有沟形成部和第1及第2电极引出部；金属氧化层，形成在端子增加型金属部件上；多个主电极层...

3、金属电容器及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种采用金属材料作为电解质来显著改善电导率的金属电容器及其制造方法。本套资料的金属电容器包括：金属部件，其具有形成了多个沟的沟形成部、和分别形成在沟形成部上的电极引出部以及填充部；金属氧化层，其形成在...

4、金属电容器及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，包括：在绝缘层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第一电介质层；在所述第一电介质层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中形成沟槽；在所述沟槽中形成第二金...

5、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

[简介]：一种金属－绝缘层－金属电容器的制造方法，首先于衬底上形成一层第一金属层，然后，对第一金属层表面进行等离子体处理工艺。接着，于第一金属层上依序形成一层第一氧化层、氮化层及第二氧化层。之后，于第二氧化层上形成一层第二...

6、金属－绝缘层－金属电容器的制造方法

[简介]：本套资料涉及采用金属材料作为电解质来显著改善电导率的金属电容器及其制造方法。本套资料的金属电容器包括：端子增加型金属部件，具有贯通孔形成部和第一电极引出部以及第二电极引出部；金属氧化层，形成在端子增加型金属部件...

7、金属电容器及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种采用金属材料作为电解质来显著改善电导率的金属电容器及其制造方法。本套资料的金属电容器包括：金属部件，其具有排列形成多个贯通孔的贯通孔形成部、和分别形成在前述贯通孔形成部上的电极引出部以及填充部；...

8、金属电容器及其制造方法

[简介]：一种集成电路器件以及生产这种器件的方法。该器件具有一衬底，例如，硅。在衬底上形成绝缘层。铜金属层覆于该绝缘层上。该器件还具有覆于铜金属层上的刻蚀阻挡层和覆于刻蚀阻挡层上的介电材料夹层。该介电材料夹层具有一上表...

9、用于将铜与金属-绝缘体-金属电容器结合的方法和结构

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构，包括顶部电极、底部电极和介于顶部电极和底部电极之间的绝缘层，该结构形成于一MOS器件区域内，MOS器件的栅极区域覆有一绝缘层和一多晶硅层，栅极就是底部极板，多晶硅层...

10、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

[简介]：本套资料公开一种包括电容器和双层金属接触的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成外围电路的外围晶体管的栅极；在第一层间绝缘层形成第一接触和第一外围电路布线层图案；形成第二接触和第二外围电路布线层图案；选择去...

11、包括电容器和双层金属接触的半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构，包括顶部电极、中部电极、底部电极以及绝缘层，该结构形成于MOS器件区域内，器件的栅极的控制栅就是顶部电极，浮栅就是中部电极，介电质层就是第一绝缘层；制作方法采用干法...

12、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法，包括顶部电极、底部电极和介于顶部电极和底部电极之间的绝缘层，该结构形成于一MOS器件区域内，MOS器件的栅极包括上层的控制栅和下层的浮栅，控制栅就是顶部...

13、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

[简介]：一种MIM金属绝缘体金属电容器，设置有：衬底；第一金属区；形成在衬底与第一金属区之间的第二金属区；和形成在第一金属区与第二金属区之间的第一绝缘层；其中电容值由第一金属区与第二金属区的相对表面积确定；且该MIM电容...

14、金属绝缘体金属电容器

[简介]：一种包括金属-绝缘体-金属MIM电容器的半导体器件及其制造方法，在绝缘层上顺序地形成第一金属层和电介质膜。电介质膜被构图，其中剩余部分被合并入MIM电容器中，以及在图案化的电介质膜和第一金属层上形成第二金属层。同...

15、具有金属-绝缘体-金属电容器的半导体器件及制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法，其顶部电极位于一覆有隔离氧化层的硅基体之上，底部电极形成于硅基体内，隔离氧化层就是绝缘层；制作方法采用干法回刻，然后形成氧化层，再回填多晶的办法形...

16、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

[简介]：本套资料的实施例提供了一种包括电容器和金属接触的半导体装置及其制造方法。该方法包括：在单元区和外围区上或中形成第一模层，形成穿透单元区中的第一模层的第一存储节点和穿透外围区中的第一模层的第一接触，在第一模层上...

17、包括电容器和金属接触的半导体装置及其制造方法

[简介]：一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，系在具有绝缘层及覆盖于其上的金属障壁层的初始嵌刻结构上实现，其包括图型化、导线形成、介电层形成、上电极形成、及平坦化诸步骤，其在集成电路制程中，在将有金属导线形成的层中，形...

18、金属－绝缘体－金属电容器制造方法

[简介]：一种在镶嵌制程中形成金属电容器的方法。于形成金属薄膜电容器之前，利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线。电容器的下电极是在镶嵌制程中形成，而此镶嵌制程亦同时用来形成导线和插塞。且于用以隔离双镶嵌结构的绝缘层的...

19、在镶嵌制程中形成金属电容器的方法

[简介]：一种在镶嵌制程中形成金属电容器的方法及其产品，是于形成金属薄膜电容器之前，利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线；通过沉积第一金属层、绝缘层和第二金属层，并先利用蚀刻定义第二金属层、绝缘层和第一金属层以形成电容...

20、在镶嵌制程中形成金属电容器的方法及其产品

[简介]：一种利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品，于形成金属薄膜电容器之前，先利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线，之后沉积一层绝缘层，并于其中形成开口，接着依序沉积顺应性的第一金属层、介电层和第二金属层，再进行...

21、利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品

22、利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品

23、形成金属－绝缘层－金属电容器的方法

24、金属-绝缘体-金属MIM电容器结构及其制作方法

25、埋入的金属双重镶嵌板电容器

26、在铜镶嵌制程中形成金属-绝缘-金属型MIM电容器的方法

27、金属化电容器的热平衡装置

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